На ежегодном форуме по литейному производству в Сан-Хосе (Калифорния) южнокорейский технологический гигант заявил, что с 2025 года начнет оказывать услуги по производству микросхем управления питанием нового поколения, предназначенных для применения в автомобилях, в том числе электромобилях.
В 2026 г. компания планирует применить передовую технологию в 2 нм чипах для высокопроизводительных вычислений (HPC). Заглядывая в будущее, компания Samsung подтвердила свои планы начать массовое производство более совершенных микросхем по технологии 1,4 нм к 2027 году.
С ростом спроса на высокопроизводительные микросхемы конкуренция в области развития технологий становится все более острой, особенно между лидером литейного производства TSMC и быстро развивающейся компанией Samsung.
Samsung заявила, что ее самые современные чипы, изготовленные по 2 нм технологии, показали прирост производительности на 12% и энергоэффективности на 25% по сравнению с 3 нм, запущенным в прошлом году.
На недавно прошедшем мероприятии компания Samsung сообщила о начале предоставления услуг по контрактному производству 8-дюймовых силовых полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия (GaN), которые используются в различных потребительских, информационных и автомобильных приложениях. Эти услуги станут доступны в 2025 году.
В первой половине 2025 года компания начнет производство радиочастотных (РЧ) чипов 5 нм для поддержки сетевых технологий 6G. Эти микросхемы обеспечат 40%-е увеличение энергоэффективности по сравнению с предыдущими, выполненными по технологии 14 нм.
Поскольку процессы производства сверхтонких микросхем создают технологические трудности, Samsung заявила, что планирует использовать технологии ИИ в процессе производства микросхем для повышения производительности и улучшения качества продукции.
С ростом спроса на высокопроизводительные микросхемы конкуренция в области развития технологий становится все более острой, особенно между лидером литейного производства TSMC и быстро развивающейся компанией Samsung.
Samsung заявила, что ее самые современные чипы, изготовленные по 2 нм технологии, показали прирост производительности на 12% и энергоэффективности на 25% по сравнению с 3 нм, запущенным в прошлом году.
На недавно прошедшем мероприятии компания Samsung сообщила о начале предоставления услуг по контрактному производству 8-дюймовых силовых полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия (GaN), которые используются в различных потребительских, информационных и автомобильных приложениях. Эти услуги станут доступны в 2025 году.
В первой половине 2025 года компания начнет производство радиочастотных (РЧ) чипов 5 нм для поддержки сетевых технологий 6G. Эти микросхемы обеспечат 40%-е увеличение энергоэффективности по сравнению с предыдущими, выполненными по технологии 14 нм.
Поскольку процессы производства сверхтонких микросхем создают технологические трудности, Samsung заявила, что планирует использовать технологии ИИ в процессе производства микросхем для повышения производительности и улучшения качества продукции.