Компания Toshiba выпустила шесть новых 600-вольтовых силовых MOSFET-транзисторов в четырёхконтактном корпусе TO-247-4L(X). Новая серия ориентирована на применение в серверных и промышленных источниках питания, а также в солнечных инверторах.
Конструкция и ключевые особенности
Kelvin-source и увеличенная длина утечки
Корпус TO-247-4L(X) имеет вырез между выводами стока и истока — это увеличивает расстояние утечки (creepage) и повышает электрическую надёжность. Наличие Kelvin source (отдельного вывода для источника) улучшает управление затвором и точность измерений сопротивления канала при коммутации.
Технология DTMOSVI и преимущества
Семейство выполнено по процессу DTMOSVI, который по данным Toshiba обеспечивает:
- снижение удельного сопротивления Rds(on) на ~13% по сравнению с предыдущим поколением;
- уменьшение произведения Rds(on) × Qgd примерно на 52%, что улучшает эффективность при коммутации и снижает потери переключения.
Электрические параметры (пример и диапазон)
- Примерный представитель серии TK024Z60Z1: типичное Rds(on) ≈ 20 мΩ (при 33 A, Vgs = 10 V) и Qgd ≈ 37 нC (типично при 400 V, 80 A, Vgs = 10 V); общее значение полного заряда затвора — ~140 нC.
- Максимальные значения Rds(on) по линейке: ≈ 24, 40, 63, 80, 99, 125 мΩ (в зависимости от конкретной модели).
Динамические параметры и моделирование
- Время обратного восстановления (trr): 425 нс
- Обратный восстановительный заряд (Qrr): 8,5 μC (при 400 V, 40 A, dI/dt = 100 A/μs)
- Доступны SPICE-модели:
- G0 — упрощённая для быстрой проверки схемы;
- G2 — детализированная для точного транситного моделирования.
Области применения
- Серверные блоки питания и дата-центры;
- Промышленные источники питания и конвертеры;
- Фотовольтаические инверторы и энергетические системы высокой мощности.
Вывод
Серия 600V MOSFET на базе DTMOSVI предлагает баланс низкого Rds(on), улучшенной коммутационной эффективности и инженерной гибкости (наличие SPICE-моделей), что делает компоненты привлекательными для систем, где важны КПД и тепловая устойчивость.