Toshiba представила новый супер-джанкшен MOSFET TK057V60Z, объединяющий высокое напряжение 600 В, сопротивление 47 мΩ и ток до 40 А в небольшом DFN-корпусе 8×8 мм. Несмотря на компактность, компонент способен выдерживать до 160 А в импульсном режиме при надлежащем охлаждении.
Характеристики, повышающие производительность
Низкое сопротивление и оптимизированный заряд затвора
При токе 15 А и напряжении управления 10 В типичное сопротивление составляет 47 мΩ, а максимальное значение — 57 мΩ.
Gate-drain charge может быть всего 15 нКл — это снижает нагрузки на драйвер и улучшает быстродействие.
Общий заряд затвора при 400 В, 15 А и 10 В на затворе составляет 65 нКл.
Kelvin-source для точного управления
Для минимизации паразитных индуктивностей корпус оснащён отдельным Kelvin-выводом источника — это повышает предсказуемость и стабильность коммутаций.
DTMOSVI — новое поколение технологий Toshiba
Рост эффективности по сравнению с предыдущим поколением
Транзистор относится к серии DTMOSVI, которая предлагает значительный прирост эффективности:
- ~36% снижение Rds(on) × Qg
- ~52% снижение Rds(on) × Qgd
По сравнению с серией DTMOSIV-H это ощутимо снижает тепловые потери и улучшает скорость переключения.
Инструменты для разработчиков
SPICE-модели двух уровней
Для проектирования доступны:
- G0-модель — быстрая оценка функционала
- G2-модель — точное моделирование переходных процессов
Это ускоряет разработку и помогает инженерам быстрее финализировать схемотехнику.
Применение в высоконагруженных системах
Где TK057V60Z раскрывает потенциал
Toshiba позиционирует устройство для оборудования, в котором важны компактность, эффективность и высокая надёжность:
- серверные блоки питания
- системы бесперебойного питания
- солнечные инверторы и PV-кондиционеры