Полупроводник – это материал, который по проводимости электрического тока находится между проводником и изолятором.
Примеры полупроводников: кремний, германий, арсенид галлия и элементы, отнесенные к категории металлоидов. После кремния арсенид галлия является вторым по распространенности полупроводником.
Полупроводниковые приборы
Полупроводниковый прибор – это электронный компонент, работа которого основана на электронных свойствах полупроводникового материала. Они производятся как в виде отдельных дискретных устройств, так и в виде интегральных схем, состоящих из двух или более устройств - число которых может составлять от сотен до миллиардов – изготовленных и соединенных между собой на одной подложке.
Полупроводниковые материалы полезны тем, что их поведением можно легко манипулировать с помощью преднамеренного добавления примесей, называемого легированием. Проведение тока в полупроводнике происходит благодаря подвижным или «свободным» электронам и электронным дыркам, которые в совокупности называются носителями заряда. Легирование полупроводника небольшой долей атомной примеси, такой как фосфор или бор, значительно увеличивает количество свободных электронов или дырок в полупроводнике.
Когда легированный полупроводник содержит избыток дырок, он называется полупроводником p-типа (p - положительный электрический заряд); когда он содержит избыток свободных электронов, он называется полупроводником n-типа (n - отрицательный электрический заряд). Большинство подвижных носителей заряда имеют отрицательный заряд. При производстве полупроводников точно контролируется расположение и концентрация легирующих элементов p- и n-типа. Соединение полупроводников n- и p-типа образует p-n-переходы.
Самым распространенным полупроводниковым прибором в мире является МОП-транзистор (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник).
Полупроводниковые приборы включают в себя различные типы устройств, такие как интегральные схемы (ИС), полупроводниковые диоды, тиристоры, динисторы, датчики Холла и другие. ИС, включая микропроцессоры и микроконтроллеры, широко используются в мобильных устройствах, таких как смартфоны и планшеты. Также к полупроводниковым приборам относятся различные типы транзисторов, включая однопереходные, биполярные и полевые транзисторы. Оптоэлектронные приборы, такие как фоторезисторы, фотодиоды и полупроводниковые лазеры, также являются полупроводниковыми устройствами. Полупроводниковые СВЧ-приборы, такие как диоды Ганна и лавинно-пролетные диоды, также включены в этот список. Кроме того, существуют полупроводниковые элементы, такие как солнечные элементы и датчики ядерного излучения. В целом, полупроводниковые устройства имеют широкий спектр применения и играют важную роль в различных областях, включая электронику, светотехнику и автоматику.
История полупроводников
История полупроводников начинается с изобретения выпрямителя в 1874 году. В 1947 году был разработан транзистор с точечным контактом, а в 1948 году - транзистор с переходом, что привело к наступлению эры транзисторов. В 1956 году Нобелевская премия по физике была присуждена за исследования полупроводников и разработку транзистора. Развитие полупроводниковой промышленности шло стремительными темпами. В 1959 году была изобретена биполярная интегральная схема (ИС), которая имела огромное влияние и стала рассветом эры ИС. В 1967 году был разработан первый электронный настольный калькулятор на основе ИС. В 1980-х и 1990-х годах были созданы более сложные и многофункциональные интегральные схемы. Сегодня полупроводники используются повсюду и играют важную роль в нашей повседневной жизни.
Полупроводниковый прибор – это электронный компонент, работа которого основана на электронных свойствах полупроводникового материала. Они производятся как в виде отдельных дискретных устройств, так и в виде интегральных схем, состоящих из двух или более устройств - число которых может составлять от сотен до миллиардов – изготовленных и соединенных между собой на одной подложке.
Полупроводниковые материалы полезны тем, что их поведением можно легко манипулировать с помощью преднамеренного добавления примесей, называемого легированием. Проведение тока в полупроводнике происходит благодаря подвижным или «свободным» электронам и электронным дыркам, которые в совокупности называются носителями заряда. Легирование полупроводника небольшой долей атомной примеси, такой как фосфор или бор, значительно увеличивает количество свободных электронов или дырок в полупроводнике.
Когда легированный полупроводник содержит избыток дырок, он называется полупроводником p-типа (p - положительный электрический заряд); когда он содержит избыток свободных электронов, он называется полупроводником n-типа (n - отрицательный электрический заряд). Большинство подвижных носителей заряда имеют отрицательный заряд. При производстве полупроводников точно контролируется расположение и концентрация легирующих элементов p- и n-типа. Соединение полупроводников n- и p-типа образует p-n-переходы.
Самым распространенным полупроводниковым прибором в мире является МОП-транзистор (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник).
Полупроводниковые приборы включают в себя различные типы устройств, такие как интегральные схемы (ИС), полупроводниковые диоды, тиристоры, динисторы, датчики Холла и другие. ИС, включая микропроцессоры и микроконтроллеры, широко используются в мобильных устройствах, таких как смартфоны и планшеты. Также к полупроводниковым приборам относятся различные типы транзисторов, включая однопереходные, биполярные и полевые транзисторы. Оптоэлектронные приборы, такие как фоторезисторы, фотодиоды и полупроводниковые лазеры, также являются полупроводниковыми устройствами. Полупроводниковые СВЧ-приборы, такие как диоды Ганна и лавинно-пролетные диоды, также включены в этот список. Кроме того, существуют полупроводниковые элементы, такие как солнечные элементы и датчики ядерного излучения. В целом, полупроводниковые устройства имеют широкий спектр применения и играют важную роль в различных областях, включая электронику, светотехнику и автоматику.
История полупроводников
История полупроводников начинается с изобретения выпрямителя в 1874 году. В 1947 году был разработан транзистор с точечным контактом, а в 1948 году - транзистор с переходом, что привело к наступлению эры транзисторов. В 1956 году Нобелевская премия по физике была присуждена за исследования полупроводников и разработку транзистора. Развитие полупроводниковой промышленности шло стремительными темпами. В 1959 году была изобретена биполярная интегральная схема (ИС), которая имела огромное влияние и стала рассветом эры ИС. В 1967 году был разработан первый электронный настольный калькулятор на основе ИС. В 1980-х и 1990-х годах были созданы более сложные и многофункциональные интегральные схемы. Сегодня полупроводники используются повсюду и играют важную роль в нашей повседневной жизни.