Мы используем файлы cookie. Они помогают улучшить ваше взаимодействие с сайтом.
Ок
Страница находится в разработке
Услуги
Справочная информация
Возможности
Инженерия
Производство
Применение
Ru
Новости электроники

Компания E&R представляет полупроводники с широкой запрещенной зоной – технология SiC

Преимущества карбидокремниевых (SiC) полупроводниковых приборов очевидны. SiC превосходит кремний по устойчивости к высоким температурам, высокому напряжению, мощным силовым характеристикам и минимальным потерям.

В настоящее время SiC-подложки выпускаются в основном размеров 4 и 6 дюймов, но ведутся работы по созданию 8- и 12-дюймовых подложек.

E&R сотрудничает с мировыми лидерами отрасли и поставщиками, предлагая ключевые решения по интеграции SiC:

1. Лазерный отжиг. Лазер с ультракороткими длинами волн для точного и равномерного неглубокого отжига.
2. Идентификационная маркировка пластин. Ультрафиолетовый лазер с длиной волны 355 нм. Работает с 6-, 8- и 12-дюймовыми пластинами как с верхней, так и с обратной стороны.
3. Нарезка пластин на кубики и канавки. Лазерная технология Pico second и Femto second для резки и создания канавок.
4. Рамановская спектроскопия. Технология позволяет оценивать и корректировать параметры техпроцесса, повышая производительность процесса.
5. Плазменная обработка. Очистка пластин перед склеиванием и формовкой.

С 14 по 17 ноября 2023 г. компания E&R примет участие в выставке Semicon Europa в Мюнхене, Германия. Посетите стенд № B2378.