13 октября 2023 года компания Canon представила систему наноимпринтной литографии FPA-1200NZ2C – передовую технологию производства полупроводников.
В отличие от обычной фотолитографии, которая основана на проецировании рисунка схемы на пластину с резистивным покрытием, наноимпринтная литография переносит схему путем прижатия маски с желаемым дизайном к резисту на полупроводниковой пластине, что напоминает использование штампа. Такой уникальный подход позволяет обойтись без оптического механизма, обеспечивая точное воспроизведение тонкого рисунка схемы с маски на пластину. Это позволяет создавать сложные двух- или трехмерные схемы за один отпечаток, что потенциально снижает стоимость.
Кроме того, технология наноимпринтной литографии Canon позволяет наносить рисунки на полупроводниковые приборы с минимальной шириной линии 14 нм. Это эквивалентно 5-нм узлам, необходимым для производства самых современных логических полупроводниковых приборов, существующих на сегодняшний день. Ожидается, что по мере дальнейшего развития технологии масок NIL будут создаваться схемы с минимальной шириной линии 10 нм, что соответствует узлу 2 нм. Это говорит о невероятной точности и инновационности данной технологии.
Помимо технических возможностей, система FPA-1200NZ2C обладает экологическими преимуществами. Отсутствие необходимости в источнике света определенной длины волны для создания тонких схем значительно снижает энергопотребление по сравнению с существующим на сегодняшний день оборудованием для фотолитографии (5-нм узлы с шириной линии 15 нм). Это не только повышает энергоэффективность, но и уменьшает выбросы углекислого газа.
Кроме того, технология наноимпринтной литографии Canon позволяет наносить рисунки на полупроводниковые приборы с минимальной шириной линии 14 нм. Это эквивалентно 5-нм узлам, необходимым для производства самых современных логических полупроводниковых приборов, существующих на сегодняшний день. Ожидается, что по мере дальнейшего развития технологии масок NIL будут создаваться схемы с минимальной шириной линии 10 нм, что соответствует узлу 2 нм. Это говорит о невероятной точности и инновационности данной технологии.
Помимо технических возможностей, система FPA-1200NZ2C обладает экологическими преимуществами. Отсутствие необходимости в источнике света определенной длины волны для создания тонких схем значительно снижает энергопотребление по сравнению с существующим на сегодняшний день оборудованием для фотолитографии (5-нм узлы с шириной линии 15 нм). Это не только повышает энергоэффективность, но и уменьшает выбросы углекислого газа.