600В Sсупер-джанкшен MOSFET Toshiba TK057V60Z

2025-11-27 16:37

Toshiba представила новый супер-джанкшен MOSFET TK057V60Z, объединяющий высокое напряжение 600 В, сопротивление 47 мΩ и ток до 40 А в небольшом DFN-корпусе 8×8 мм. Несмотря на компактность, компонент способен выдерживать до 160 А в импульсном режиме при надлежащем охлаждении.

Характеристики, повышающие производительность

Низкое сопротивление и оптимизированный заряд затвора

При токе 15 А и напряжении управления 10 В типичное сопротивление составляет 47 мΩ, а максимальное значение — 57 мΩ.

Gate-drain charge может быть всего 15 нКл — это снижает нагрузки на драйвер и улучшает быстродействие.

Общий заряд затвора при 400 В, 15 А и 10 В на затворе составляет 65 нКл.

Kelvin-source для точного управления

Для минимизации паразитных индуктивностей корпус оснащён отдельным Kelvin-выводом источника — это повышает предсказуемость и стабильность коммутаций.

DTMOSVI — новое поколение технологий Toshiba

Рост эффективности по сравнению с предыдущим поколением

Транзистор относится к серии DTMOSVI, которая предлагает значительный прирост эффективности:

~36% снижение Rds(on) × Qg
~52% снижение Rds(on) × Qgd

По сравнению с серией DTMOSIV-H это ощутимо снижает тепловые потери и улучшает скорость переключения.

Инструменты для разработчиков

SPICE-модели двух уровней

Для проектирования доступны:

G0-модель — быстрая оценка функционала
G2-модель — точное моделирование переходных процессов

Это ускоряет разработку и помогает инженерам быстрее финализировать схемотехнику.

Применение в высоконагруженных системах

Где TK057V60Z раскрывает потенциал

Toshiba позиционирует устройство для оборудования, в котором важны компактность, эффективность и высокая надёжность:

серверные блоки питания
системы бесперебойного питания
солнечные инверторы и PV-кондиционеры

Полезные ссылки

Saifon