Filtronic представляет Cerus V SSPA для спутниковых шлюзов LEO
2026-03-13 18:15
Компания Filtronic продемонстрировала новую версию твердотельного усилителя мощности Cerus V SSPA на выставке Space‑Comms Expo.
Устройство предназначено для высокочастотных каналов связи в V-диапазоне и может использоваться в наземных, воздушных и космических системах связи.
Одним из основных сценариев применения являются спутниковые наземные станции, которые обеспечивают связь со спутниками на низкой околоземной орбите (LEO). Также технология ориентирована на использование в оборонных системах и телекоммуникационной инфраструктуре.
Архитектура усилителя на базе GaN MMIC
Каждый модуль усилителя содержит 32 GaN MMIC в V-диапазоне, что позволяет обеспечить высокую выходную мощность и стабильную работу на миллиметровых частотах.
В систему встроен датчик температуры, который позволяет пользователям контролировать состояние усилителя. Дополнительные опции управления включают функции:
отключения сигнала (mute)
аварийных сигналов и мониторинга
Такая архитектура обеспечивает стабильность работы оборудования в высоконагруженных системах спутниковой связи.
Основные характеристики Cerus V
Усилитель Cerus V работает в диапазоне температур от −35 до +60 °C и доступен в конфигурациях от одиночных модулей до N-канальных систем.
Ключевые характеристики устройства включают:
рабочий диапазон частот 47.2–52.4 ГГц
полоса пропускания 5.2 ГГц
насыщенная выходная мощность до 50.8 dBm
типичное усиление 19.7 dB
высокая линейность 55 dBm OIP3 при Po 41.6 dBm
Усилитель предназначен для использования в uplink-терминалах спутниковых наземных станций.
Габариты устройства составляют 215 × 215 × 93 мм, а масса — около 3.5 кг.
Переход отрасли на GaN-технологии
Разработка Cerus V отражает общий тренд в RF-индустрии — переход от технологии GaAs (Gallium Arsenide) к GaN (Gallium Nitride).
GaN обеспечивает:
более высокую плотность мощности
более эффективное тепловое управление
более быстрые переключения
Это позволяет твердотельным усилителям конкурировать с традиционными решениями в новых областях применения, включая спутниковые коммуникационные шлюзы.
По словам инженера-конструктора Filtronic Майка Поммероя, использование GaN позволяет обеспечить лидирующую линейную мощность в диапазоне mmWave.
Новая производственная площадка Filtronic
Компания Filtronic также недавно открыла новую штаб-квартиру и производственный центр площадью 44 000 квадратных футов в технологическом парке NETPark в Седжфилде (Великобритания).
Генеральный директор компании Nat Edington отметил, что новый объект позволит увеличить производственные возможности и поддержать рост рынка высокочастотных RF-систем.