Технология 3D Cu-Cu Hybrid Bonding

Традиционные методы склеивания микросхем, ограниченные шагом 50 мкм или 40 мкм приводят к снижению надежности, а уменьшение шага контактов до 10 мкм повышает риск образования интерметаллических соединений (IMC), снижающих проводимость и механические свойства.

Гибридные соединения Cu-Cu

Технология ударной сварки для современных полупроводниковых корпусов решает проблемы, связанные с уменьшением шага контактов и ограничениями, связанными с традиционной пайкой перевернутых кристаллов. Одним из выдающихся достижений в этой области является технология гибридного соединения 3D Cu-Cu Hybrid Bonding, которая предлагает революционное решение. Компания IDTechEx внимательно следит за достижениями в области передовых полупроводниковых корпусов 2,5D и 3D.

Преимущества гибридного соединения Cu-C:

· позволяет получить сверхмелкий шаг и малые размеры контактов, что способствует большому количеству входов/выходов;

· исключает необходимость в заполнении, снижая паразитную емкость, сопротивление и индуктивность, а также тепловое сопротивление;

· уменьшение толщины клеевых соединений открывает новые возможности для создания более компактных и эффективных полупроводниковых корпусов.

Дальнейшее развитие гибридного соединения Cu-Cu будет направлено на совершенствовании и оптимизацию важнейших аспектов процесса: диэлектрических материалов, элементов для подбора и размещения, а также инновации в области обработки тонких подложек. Преодоление этих трудностей откроет путь для широкого внедрения гибридного соединения Cu-Cu в области 2,5D и 3D монтажа, что позволит создавать более компактные, мощные и энергоэффективные электронные устройства.